
晶體生長高頻加熱設(shè)備使晶體生成的一般過程是先生成晶核,而后再逐漸長大。一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段:1介質(zhì)達到過飽和、過冷卻階段;2成核階段;3生長階段. 
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                                    中頻感應加熱晶體生長設(shè)備機體積小、重量輕,作業(yè)環(huán)境好,沒有噪音和灰塵;各種保護動作靈敏,主要器件壽命長,征集的故障率低,性能可靠,可連續(xù)工作;機接通水電即可工作,操作簡單
 
                                        
                                    晶體生長感應加熱設(shè)備高頻20KW~200KW可選,加熱溫度高、速度快,加熱時間短,金屬材料受熱均勻。被加熱物的表面氧化少,工件變形小,而且是非接觸式加熱;輸出功率調(diào)節(jié)靈活,方便,控制